4 Gb de memória DDR3 Samsung 40nm
Samsung começar a fazer os chips de memória DDR3 de 4 Gbits. Foi possível graças ao processo de fabrico 40nm e os modelos vêm com esses chips para dobrar a capacidade atual.
Eles vão reduzir o consumo e desempenho ao longo do intervalo anterior e, em teoria, permitir o fabrico de módulos para os servidores até 32 GB e 8 GB para laptops. Trabalho com uma tensão de 1,5 V e 1,35 V e chegam formato RDIMM 16 e 32 GB e 8 GB SODIMM.
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