Faz umas horas a Samsung anunciou o desenvolvimento do primeiro chip SDRAM DDR3 de 4 gigabit (1GB). Fatos por um processo de fabricação de 50 nanómetros ultradenso que permitirá até 8GB de RAM num único módulo de memória para portáteis, o dobro possível atualmente.
Mas também ao ser menor o processo permite a poupar energia e menos calor, convertendo em memória DDR3 mais eficiente. Ainda nãoderam dados de sua comercialização, a companhia afirma que tem a técnica desenvolvida desde setembro com chips de 2 Gb.